2N7002LT1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
50 pF bei 25 V
Reihe:
-
Vgs (maximal):
± 20V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
5V, 10V
Verlustleistung (maximal):
225mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
115mA (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
2N7002
Einleitung
N-Kanal 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)
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