NTBG025N065SC1
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
SILICON-CARBID (SIC) MOSFET - 1
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 15,5mA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
164 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28.5mOhm @ 45A, 18V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
15V, 18V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Vgs (maximal):
+22V, -8V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3480 pF @ 325 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
D2PAK-7
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
106A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
395W (Tc)
Technologie:
SiCFET (Silikon-Karbid)
Basisproduktnummer:
NTBG025
Einleitung
N-Kanal 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK-7
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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