FDMC86102L
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerWDFN
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 7A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
8-MLP (3.3x3.3)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
7A (Ta), 18A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDMC86102
Einleitung
N-Kanal 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3.3x3.3)
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