NTRV4101PT1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
8.5 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85 mOhm @ 1,6 A, 4,5 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1.8V, 4.5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Vgs (maximal):
±8V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
675 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1.8A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
420mW (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NTRV4101
Einleitung
P-Kanal 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)
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