NDT3055
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 4A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
250 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223-4
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
3W (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Die Ausnahme gilt für:
Einleitung
N-Kanal 60 V 4 A (Ta) 3 W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-4
Verwandte Produkte
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
Mindestbestellmenge:
