FQT1N60CTF-WS
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
6.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.5 Ohm @ 100 mA, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
170 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
QFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223-4
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
200mA (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.1W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FQT1N60
Einleitung
N-Kanal 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Oberflächenbefestigung SOT-223-4
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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