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NTD6416ANLT4G

fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
74mOhm @ 19A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
71W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NT1
Einleitung
Berg DPAK des N-Kanal-100 V 19A (Tc) der Oberflächen-71W (Tc)
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Lagerbestand:
Mindestbestellmenge: