FDD86569-F085
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
52 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.7mOhm @ 80A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2520 PF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
150 Watt (Tj)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDD86569
Einleitung
Berg TO-252AA des N-Kanal-60 V 90A (Tc) der Oberflächen-150W (Tj)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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