FDD86102
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 8A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1035 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
8A (Ta), 36A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDD861
Einleitung
N-Kanal 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), Berg TO-252AA der Oberflächen-62W (Tc)
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