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FDN335N

fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1,7A SUPERSOT3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 4.5V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Vgs (maximal):
±8V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
310 pF @ 10 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1.7A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
500mW (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDN335
Einleitung
N-Kanal 20 V 1,7 A (Ta) 500 mW (Ta) Oberflächenhalter SOT-23-3
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Lagerbestand:
Mindestbestellmenge: