FDC658AP
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
8.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Vgs (maximal):
±25V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
470 pF @ 15 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
SuperSOT™-6
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
1.6W (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDC658
Einleitung
P-Kanal 30 V 4A (Ta) 1,6 W (Ta) Oberflächenhalter SuperSOTTM-6
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