NTF3055L108T1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 1.5A, 5V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
±15V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
440 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223 (TO-261)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
1.3W (Ta)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NTF3055
Einleitung
Berg SOT-223 (TO-261) des N-Kanal-60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) der Oberflächen-
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
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