NTD380N3Z
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.8V @ 300μA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
25.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
360 mOhm @ 6,5 A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
800 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1143 pF @ 400 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
SuperFET® III
Lieferanten-Gerätepaket:
D-PAK (TO-252)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
13A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
96W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NTD360
Einleitung
N-Kanal 800 V 13A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenhalter D-PAK (TO-252)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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