FDB045AN08A0
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
138 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5mOhm @ 80A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
75 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6600 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
19A (Ta), 90A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
310W (TC)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDB045
Einleitung
N-Kanal 75 V 19A (Ta), 90A (Tc) 310W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK (TO-263)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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