FDA69N25
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-3P-3, SC-65-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
41mOhm @ 34,5A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
250 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4640 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
UniFETTM
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-3PN
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
69A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
480 Watt (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDA69
Einleitung
N-Kanal 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) durch Loch TO-3PN
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