SQJ459EP-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
108 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
18mOhm @ 3,5A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4586 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
52A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
83W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SQJ459
Einleitung
P-Kanal 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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