SIHB24N80AE-GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET-Typ:
N-Kanal
Fet-Eigenschaft:
-
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Reihe:
-
Vgs (maximal):
±30V
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
89 nC @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
184mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1836 pF @ 100 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
800 V
Verlustleistung (maximal):
208W (TC)
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SIHB24
Einleitung
N-Kanal 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenbefestigung D2PAK (TO-263)
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