NTMFS5C645NLT1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-PowerTDFN, 5 Führungen
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4mOhm @ 50A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2200 pF @ 50 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
22A (Ta), 100A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
NTMFS5
Einleitung
N-Kanal 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Oberflächenbefestigung 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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