Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
178 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.7mOhm @ 100A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13530 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
PowerTrench®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-3
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
246W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FDP027
Einleitung
N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 246 W (Tc) durch das Loch TO-220-3
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
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