FCP099N65S3
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
61 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
99mOhm @ 15A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
650 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2480 pF @ 400 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
SuperFET® III
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-3
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
227W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Der Begriff "Funktion" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011.
Einleitung
N-Kanal 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) durch Loch TO-220-3
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