FQU17P06TU
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Führungen des Kurzschluss-TO-251-3, IPak, TO-251AA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
135mOhm @ 6A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
±25V
Produktstatus:
Veraltet
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
900 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
QFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
I-PAK
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FQU17P06
Einleitung
P-Kanal 60 V 12A (Tc) 2,5 W (Ta), 44 W (Tc) durch Loch I-PAK
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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