FQPF4N90C
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 4A bis 220F
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.2 Ohm @ 2A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
900 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
960 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
QFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220F-3
Mfr:
Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
47 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
FQPF4
Einleitung
N-Kanal 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) durch das Loch TO-220F-3
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