NSS40302PDR2G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Transformations-NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
3A
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN, PNP
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
100 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
115mV @ 200mA, 2A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
40 V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Mfr:
Einheitlich
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
653 mW
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
180 @ 1A, 2V
Basisproduktnummer:
NSS40302
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor-Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Oberflächenmontage 8-SOIC
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