MMUN2111LT1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Einheitlich
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
246 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 246 mW vorgebildeter Bipolartransistor Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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