DTC143ZET1G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-75, SOT-416
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Einheitlich
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
DTC143
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 100 mA 200 mW Oberflächenhalter SC-75, SOT-416
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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