PZT651T1G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
2 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
60 V
Packung / Gehäuse:
SOT-223-4
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
75 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
80 V
Reihe:
PZT651
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0,5 V
Hersteller:
Einheitlich
Hervorheben:
PZT651T1G semiconductor transistor
,PZT651T1G IC component
,PZT651T1G electronic transistor
Einleitung
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