MJD5731T4G
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fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
1 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
350 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
10 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
5 V
Reihe:
MJD5731
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1 V
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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