NJVMJD243T4G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 4A 100V TR
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 VDC
Packung / Gehäuse:
DPAK-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
40 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
100 V
Reihe:
MJD243
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
7 VDC
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
300 Millivolt
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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