MJE15034G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 4A 350V 50W NPN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
Durchs Loch
Maximaler DC-Kollektorstrom:
4 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
350 V
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
30 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
350 V
Reihe:
MJE15034
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0,5 V
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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