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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 60V PNP niedrig VCE ((SAT) XTR
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
- 4 A.
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
- 60 V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
100 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
- 80 V
Reihe:
NSS60200LT1G
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
- 7 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
170 Millivolt
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
Die NSV60200LT1G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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