Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
6 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
40 VDC
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
150 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
40 V
Reihe:
NSS40201L
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
6 VDC
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
6 Millivolt
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
Die NSV40201LT1G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
Mindestbestellmenge: