2SC3647S-TD-E
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 2A 100V
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
3 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
PCP-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
120 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
120 V
Reihe:
2SC3647
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
6 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0.13 V
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
Die 2SC3647S-TD-E, von onsemi, sind Bipolar Transistors - BJT. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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