NVD2955T4G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 60 V
Verpackung:
Spirale
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 12 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
155 mOhms
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
15 nC
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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