NTD2955T4G
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fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
12A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
P-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
30nC @ 10V
Hersteller:
Einheitlich
Mindestmenge:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
750pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (maximal):
55 W (Tj)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Einleitung
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