MMUN2233LT1G
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - vorgebildet
Montageart:
SMD/SMT
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.1
Pd - Energieverschwendung:
246 mW
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
50 V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gleichstromkollektor/Basisgewinn Min:
80, 200
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Reihe:
MMUN2233L
Typischer Eingangswiderstand:
4,7 kOhm
Höchstdc-Kollektorstrom:
100 MA
Hersteller:
Einheitlich
Ununterbrochener Kollektorstrom:
0,1 A
Einleitung
Die MMUN2233LT1G, von onsemi, ist Bipolar Transistors - Pre-Biased. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
Hochgeschwindigkeits-Doppel-Invertierendes MOSFET-Halbleiter-IC-Gate-Treiberchip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
Mindestbestellmenge:
