NGTB50N120FL2WG
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fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 200
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
100 A
Pd - Energieverschwendung:
535 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
TO-247
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
30 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,2 V
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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