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NGTB25N120FL3WG

fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
IGBT-Transistoren IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 200
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
100 A
Pd - Energieverschwendung:
349 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
TO247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.7 V
Hersteller:
Einheitlich
Einleitung
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