NJD35N04T4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Darlington Transistors
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
4 A
Pd - Energieverschwendung:
45 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
350 V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
700 V
Reihe:
NJD35N04
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Hersteller:
Einheitlich
Hervorheben:
NJD35N04T4G MOSFET semiconductor
,NJD35N04T4G power IC
,NJD35N04T4G transistor with warranty
Einleitung
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