NJVMJD32CT4G
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Darlington Transistoren BIP DPAK PNP 3A 100V TR
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Darlington Transistors
Montageart:
SMD/SMT
Pd - Energieverschwendung:
15 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
DPAK
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
100 V
Reihe:
MJD32C
Maximaler Sammler-Abschlussstrom:
50 MA
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Hersteller:
Einheitlich
Hervorheben:
Semiconductor IC NJVMJD32CT4G
,Power MOSFET NJVMJD32CT4G
,High voltage IC NJVMJD32CT4G
Einleitung
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