Filter
Filter
Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
SQ2308CES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDC638APZ |
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
IRFP450APBF |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SIR167DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDT3612 |
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Si3127DV-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
2N7002ET1G |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SQ2318AES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
NTR4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDC5612 |
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NVH4L080N120SC1 |
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDBL86561-F085 |
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SI2356DS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 4.3A bis 236
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86350 |
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NTTFS5116PLTAG |
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
IRF840ALPBF |
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDA24N40F |
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NTGS3446T1G |
MOSFET N-CH 20V 2,5A 6TSOP
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SUD50P10-43L-E3 |
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
SQJ182EP-T1_GE3 |
Die Fahrzeugkennzeichnung ist auf der Liste der Fahrzeugkennzeichnungen zu finden.
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SI7155DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDBL86361-F085 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS86263P |
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NVMFS5113PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
IRF740PBF |
MOSFET N-CH 400V 10A bis 220AB
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
FDMS7670 |
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C604NLT3G |
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 200V 2,6A PPAK SC70
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
|
Vishay Siliconix
|
|
|
|
|
|
bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDP036N10A |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die Bezeichnung "MF" ist: |
JFET N-CH 25V 10MA SOT23
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
MMBF5484 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
2SK3557-7-TB-E |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
2SK3557-6-TB-E |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
GEGEN - 40 TPS 12 A.M. 3 |
SCR 1,2KV 55A bis 247AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
Die Prüfungen werden in der folgenden Tabelle durchgeführt:
|
Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
|
|
|
|
|
|
VS-70TPS12PBF |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
SCR 1,2KV 79A bis 247L
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
MCP79412T-I/MNY |
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Für die Zwecke der Verordnung (EG) Nr. |
IC JITTER ATTEN 32QFN
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
