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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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NLV14012BDR2G |
IC-TOR-NAND 2CH 4-INP 14SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
IC GATE oder 4CH 2-INP 14TSSOP
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC-TOR ODER 1CH 2-INP SOT23-5
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Einheitlich
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MC74ACT05DR2G |
IC-Inverter OD 6CH 1-INP 14SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
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Einheitlich
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MC14069UBDR2G |
IC-INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
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Einheitlich
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NL27WZ14DTT1G |
IC WANDELN SCHMITT 2CH 2-IN 6TSOP UM
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Einheitlich
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74LVCH162245APAG8 |
IC TXRX Nicht-INVERT 3.6V 48TSSOP
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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NL27WZ07DFT2G |
IC-PUFFER NON-INVERT 5.5V SC88
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Einheitlich
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NL17SZ17DFT2G |
IC-PUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A
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Einheitlich
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MC74ACT245DTR2G |
IC TXRX nicht umgekehrt 5,5 V 20TSSOP
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Einheitlich
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74ACT541SCX |
IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC
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Einheitlich
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Der Verbraucher ist nicht verpflichtet, sich zu informieren. |
IC TXRX nicht umgekehrt 5,5 V 20TSSOP
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Einheitlich
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NLV37WZ04USG |
IC-PUFFER NON-INVERT 5.5V US8
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Einheitlich
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74ACT244SCX |
IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC
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Einheitlich
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NLV17SZ125DFT2G |
IC-PUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A
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Einheitlich
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M74VHC1GT125DT1G |
IC-PUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP
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Einheitlich
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MT40A4G8NEA-062E: F |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT41K256M16TW-107 IT: P |
GLEICHHEIT 96FBGA IC-D-RAM-4GBIT
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Micron Technologie Inc.
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MT40A512M16LY-062E IT: E |
ÄHNLICHKEIT 96FBGA IC-D-RAM-8GBIT
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Micron Technologie Inc.
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8GBIT 1.866 GHz 200WFBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
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Micron Technologie Inc.
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MT2F4G01ABBFDWB-IT:F |
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
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Micron Technologie Inc.
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN
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Micron Technologie Inc.
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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT |
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
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Micron Technologie Inc.
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT41K64M16TW-107: J |
GLEICHHEIT 96FBGA IC-D-RAM-1GBIT
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Micron Technologie Inc.
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
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Micron Technologie Inc.
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4GBIT 2,133 GHz 200WFBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
IC-BLITZ 256MBIT SPI 8WPDFN
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Micron Technologie Inc.
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MT29F64G08AFAAAWP-ITZ: |
IC FLASH 64GBIT PART 48TSOP I
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Micron Technologie Inc.
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1GBIT SPI 166MHZ 16SOP2
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Micron Technologie Inc.
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MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC-BLITZ 256MBIT SPI 133MHZ 16SO
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Micron Technologie Inc.
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MT41K128M16JT-125: K |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT41K256M8DA-125: K |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
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Micron Technologie Inc.
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MT25QU128ABA1ESE-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
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Micron Technologie Inc.
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S34ML02G200BHI000 |
IC Flash 2GBIT PARALLEL 63BGA
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Cypress Semiconductor Corp
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S29GL256P10TFI020 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
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Cypress Semiconductor Corp
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7024L15PFG8 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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RMLV1616AGSA-5S2#AA0 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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70V24L15PFG |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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70V24L20PFGI8 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP
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Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der
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S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
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Infineon Technologies
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CAT24C64YI-GT3 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
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Einheitlich
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CAV24C64WE-GT3 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
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Infineon Technologies
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CAT24C256WI-GT3 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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Einheitlich
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Die Daten werden von den zuständigen Behörden des Mitgliedstaats übermittelt. |
IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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Einheitlich
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AT24C64D-SSHM-T |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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Mikrochiptechnik
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Die Genehmigung für die Verwendung von Zellstoff ist nur möglich, wenn die Zellstoffkonzentration der Zellstoffe in der Zelle nicht überschritten ist. |
IC EEPROM 2KBIT I2C TSOT23-5
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Einheitlich
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