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Halbleiter IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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FDD6637 |
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
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Einheitlich
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FDMS86540 |
MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
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Einheitlich
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NTD25P03LT4G |
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
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Einheitlich
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SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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FDD86569-F085 |
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
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Einheitlich
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NTD6416ANLT4G |
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
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Einheitlich
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FDS6679AZ |
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
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Einheitlich
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FQD19N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 15,6A DPAK
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Einheitlich
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FQT1N60CTF-WS |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
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Einheitlich
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SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SI4056ADY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 5,9A/8,3A 8SOIC
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Vishay Siliconix
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NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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Einheitlich
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NTR1P02T1G |
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
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Einheitlich
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Der Wert der Verpackung ist zu messen. |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
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Einheitlich
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
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Einheitlich
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BSS84LT1G |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Einheitlich
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CPH6350-TL-W |
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
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Einheitlich
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BSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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SUM110P06-08L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A bis 263
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Vishay Siliconix
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Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET N-CH 200V 18A bis 263
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Vishay Siliconix
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SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
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Vishay Siliconix
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FDMS86101 |
MOSFET N-CH 100V 12,4A/60A 8PQFN
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Einheitlich
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FDMC86261P |
MOSFET P-CH 150V 2,7A/9A 8MLP
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Einheitlich
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Siehe Anhang I Abschnitt 3 der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 |
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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IRFL210TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
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Vishay Siliconix
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SQ3427EV-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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NTRV4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
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Einheitlich
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SIHP18N50C-E3 |
MOSFET N-CH 500V 18A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, |
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
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Einheitlich
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IRF640PBF |
MOSFET N-CH 200V 18A bis 220AB
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C442NT1G |
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
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Einheitlich
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FDBL0150N80 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
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Einheitlich
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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu finden. |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A bis 263
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Vishay Siliconix
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IRFR430ATRPBF |
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
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Vishay Siliconix
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FCD900N60Z |
MOSFET N-CH 600V 4,5A bis 252
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Einheitlich
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FDMC86102L |
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
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Einheitlich
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IRFR214TRPBF |
MOSFET N-CH 250V 2,2A DPAK
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Vishay Siliconix
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SUD15N15-95-E3 |
MOSFET N-CH 150V 15A bis 252
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C670NLT3G |
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
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Einheitlich
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FDS86242 |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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SQ3426AEEV-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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SQ2398ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1,6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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FDN339AN |
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
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Einheitlich
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NTGS4141NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3,5A 6TSOP
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Einheitlich
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NTBG025N065SC1 |
SILICON-CARBID (SIC) MOSFET - 1
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Einheitlich
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2V7002KT1G |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
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Einheitlich
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