Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-50 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270 mOhm @ 1,2 A, 10 V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
500 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.2A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
760 mW (Ta), 2,5 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI2337
Einleitung
P-Kanal 80 V 2,2A (Tc) 760mW (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)
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