SQJ182EP-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
Die Fahrzeugkennzeichnung ist auf der Liste der Fahrzeugkennzeichnungen zu finden.
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5392 pF @ 25 V
Reihe:
Fahrzeugindustrie, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Verlustleistung (maximal):
395W (Tc)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® SO-8
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
210A (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft:
-
Einleitung
N-Kanal 80 V 210A (Tc) 395W (Tc) Oberflächenhalter PowerPAK® SO-8
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