IRF840ALPBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
850 mOhm @ 4,8A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
500 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1018 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
I2PAK
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRF840
Einleitung
N-Kanal 500 V 8A (Tc) 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) durch Loch I2PAK
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