SI2356DS-T1-GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 4.3A bis 236
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
51 mOhm @ 3.2A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Vgs (maximal):
±12V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
370 pF @ 20 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4.3A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
960 mW (Ta), 1,7 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SI2356
Einleitung
N-Kanal 40 V 4.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)
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