SQ2308CES-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
5.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
150 mOhm @ 2,3 A, 10 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
205 pF @ 30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.3A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SQ2308
Einleitung
N-Kanal 60 V 2.3A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)
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