IRLL014TRPBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
8.4 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200 mOhm @ 1,6 A, 5 V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4V, 5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
±10V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
400 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.7A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
2 W (Ta), 3,1 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRLL014
Einleitung
N-Kanal 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Oberflächenanlage SOT-223
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