Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009.
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 99A bis 247AC
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
228 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 25A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Vgs (maximal):
±30V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7612 pF @ 100 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
E
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
99A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
524 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
Siehe Ziff.
Einleitung
N-Kanal 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) durch Loch TO-247AC
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