IRF830PBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 4,5A bis 220AB
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
500 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
610 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Reihe:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4.5A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
74 W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
IRF830
Einleitung
N-Kanal 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) durch das Loch TO-220AB
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