SQS481ENW-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Kategorie:
Halbleiter IC
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
PowerPAK® 1212-8
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.095 Ohm @ 5A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
150 V
Vgs (maximal):
± 20V
Produktstatus:
Aktiv
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
385 pF @ 75 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4.7A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
62.5W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Basisproduktnummer:
SQS481
Einleitung
P-Kanal 150 V 4,7 A (Tc) 62,5 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® 1212-8
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